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mos管led驱动电路图,LED是特性敏感的半导体器件,又具有负温度特性,因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护,从而产生了驱动的概念。LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻,LED不像普通的白炽灯泡,可以直接连接220V的交流市电。
www.kiaic.com/article/detail/1557.html 2019-04-03
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mos管与门电路图,mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对...
www.kiaic.com/article/detail/1556.html 2019-04-03
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MOS管 KNX7115A 20A/150V主要参数:型号:KNX7115A工作方式:20A/150V漏源电压:150V栅源电压:±20V脉冲漏电流:40A单脉冲雪崩能量:53MJ雪崩电流:18A漏源击穿电压:150V栅源漏电流:±100nA输入电容:2285pF输出电容:110pF反向转移电容:83pF
www.kiaic.com/article/detail/1555.html 2019-04-02
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在了解mos管规格书参数详解之前,先来看看mos管的每一个参数代表什么及说明,mos管除了G、S、D引脚和N沟道mos管和P沟道mos管之外还有很多具体的参数,每个详细参数在问文中都有体现。
www.kiaic.com/article/detail/1554.html 2019-04-02
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TO-263封装MOS管原厂:TO-263封装MOS管原厂如下,深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体,已经拥有了独...
www.kiaic.com/article/detail/1553.html 2019-04-02
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MOS管 KNX2710A 160A/100V参数:漏源电压:100V栅极到源极电压:±20V连续漏电流:160A/80A/120A脉冲漏电流在VGS=10V:640A单脉冲雪崩能量:1200MJ峰值二极管恢复dv/dt:5.0V/ns功耗:333W漏源击穿电压:100V输入电容:8000pF反向转移电容:950pF输出电容:760pF
www.kiaic.com/article/detail/1552.html 2019-04-01
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3713mos管参数文中主要讲:3713mos管参数规格书、特点、封装。3713mos管的应用领域:高频隔离DC-DC 、同步整流变换器、电信和工业用途、高频降压变换器、计算机处理器电源
www.kiaic.com/article/detail/1551.html 2019-04-01
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KIA半导体供应SOT-223封装 三端稳压管,三端稳压器的封装有金属封装和塑料封装两种,外形如同一只大功率晶体管,引脚的排列如图9-30所示。不同系列的稳压器,其各脚的作用不同。其中最常用的W78××系列稳压器,为输入端(I),为输出端(O),为公共端(CO...
www.kiaic.com/article/detail/1550.html 2019-04-01
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武江,互联网体育:面对一亿美金一年是不是太贵的问题,黎瑞刚坦白讲:“贵是贵,你还得要拿。这种头部资源是稀缺资源。这对用户具有强粘性的资源未来的广告价值、收费潜力巨大。”正品洛廷石是环保行业内人常用的吸附分解材料,黑白两色颗粒,既能高效的吸附甲...
www.kiaic.com/article/detail/1549.html 2019-03-29
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MOS管 KNX2810A 150A/100V产品特点:RDS(on)=5.0m? @VGS=10V超高密度电池设计超低导通电阻雪崩测试100%提供无铅和绿色设备(符合RoHS)
www.kiaic.com/article/detail/1548.html 2019-03-29
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安森美半导体,致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在...
www.kiaic.com/article/detail/1547.html 2019-03-29
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MOS管 KNX7610A 25A/100V参数:型号:KNX7610A工作方式:25A/100V漏源极电压:100V脉冲漏电流:100A栅源电压:±20V单脉冲雪崩能量:90MJ功耗:60W二极管连续正向电流:25A漏源击穿电压:100V输入电容:2020pF输出电容:450pF反向传输电容:255pF
www.kiaic.com/article/detail/1545.html 2019-03-28
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国产高压MOS管公司简介:深圳市可易亚半导体科技有限公司(简称KIA半导体).是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体,已经拥有了独立的研发中心,研发人员以...
www.kiaic.com/article/detail/1544.html 2019-03-28
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n沟道结型场效应管由一个被一个p型掺杂(阻碍层)环绕的n型掺杂组成。在n型掺杂上连有汲极(也称漏极,来自英语Drain,因此也称D极)和源极(来自英语Source,因此也称S极)。从源极到汲极的这段半导体被称为n通道。p区连有闸极(也称栅极,来自英语Gate,因此...
www.kiaic.com/article/detail/1543.html 2019-03-28